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安徽（iii）模拟的预测潜在地图。2017年，电力首次报道直读电子计数相机可用于极度敏感晶体材料（以MOFZIF-8为例）的高分辨电子显微成像 [1];2018年，电力与张大梁博士合作开发了一系列图像采集和图像处理的方法，极大的提高了超低剂量HRTEM的成像效率和成像质量[2];2019年，团队利用该技术直接观察了MOFNU-1000孔道中的单分子磁体客体分子[3]，以及MOFUiO-66中各种缺陷结构[4]。
本文将最近开发的低剂量HRTEM技术与电子晶体学结合起来，首次实现通过实空间直接成像研究MOF中的缺陷。专利图4UiO-66中各种缺陷结构的插图 图5各种有缺陷的UiO-66样品的表征和催化性能 (a)通过HF消化溶液的高效液相色谱分析测定甲酸盐含量和来自N2吸附等温线UiO-66样品的BET表面积。与UiO-66-P相比，技术交易UiO-66-D具有以~1.7nm为中心的额外孔径分布，技术交易导致在高相对压力区域的显著吸附（P/P00.9））图2UiO-66-D中完美和缺失-连接区的HRTEM分析 CTF校正的HRTEM图像和结构模型沿 [001]（a），[110]（b）区域轴完美UiO-66（Fm-3m），沿[001]（c），[100]（d）和[110]（e）缺失的配体缺陷的区域轴（I4/mmm）。
在所研究的UiO-66晶体中，国网公开挂牌配体缺失缺陷具有更高的浓度并可形成较大的有序区域，而团簇缺失缺陷仅出现在几个晶胞尺寸的小区域中。配体交换的方法可用于改变缺陷浓度，安徽从而调节UiO-66的催化活性。
电力在每个小组中：（i）CTF校正的图像。
图3UiO-66-D团簇缺失缺陷的HRTEM分析a，首次实现b，[001]方向的CTF校正的HRTEM图像，显示不同类型的团簇缺失缺陷，采用reo结构（a）和scu结构（b）。精益求精的产品体系和完善的门窗五金解决方案让深圳森力霸收获了消费者的良好口碑，专利并先后斩获中国十大五金品牌、专利中国十大门窗五金品牌、中国十大门控五金品牌等荣誉称号，在门窗五金领域展现出强大的市场竞争力。
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